型号: NP82N06PDG-E1-AY
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装: 800
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 82A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 6.7 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 106nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5700pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263
联系人:Alien
联系人:彭小姐
联系人:胡双能
电话:13828773769
联系人:张小姐
联系人:祝小姐
电话:13612861520
联系人:陈小姐
电话:18823802745
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:Sam
联系人:黄S
联系人:陈
电话:13699757597