型号: NPT2022
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
制造商: MACOM
制造商: MACOM
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN Si
增益: 21 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 160 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 3 V
Id-连续漏极电流: 24 mA
输出功率: 100 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: Screw Mount
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 2 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
商标: MACOM
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
工厂包装数量: 20
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.6 V
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