型号: NPTB00004A
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
制造商: MACOM
制造商: MACOM
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN Si
增益: 16 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 1.4 A
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 11.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Tray
工作频率: 6 GHz
商标: MACOM
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.6 V
单位重量: 220 mg
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