型号: NSBA123JDP6T5G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 5mA，10V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 408mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-963
供应商器件封装： SOT-963
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