型号: NSBC114EDP6T5G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）： 10k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 35 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）： 500nA
功率-最大值： 408mW
安装类型： 表面贴装
封装形式Package： SOT-963
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 408mW
封装/外壳： SOT-963
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 10k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 35 @ 5mA，10V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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