型号: NSBC115EPDXV6T1G
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 RSTR XSTR
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 是
配置: Dual
晶体管极性: NPN, PNP
典型输入电阻器: 100 kOhms
典型电阻器比率: 1
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 500 mW
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
最大直流电集电极电流: 100 mA
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
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