型号:  NSDEMP11XV6T5G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

RoHS：  符合 RoHS

恢復时间：  4 ns

最低工作温度：  - 55 C

最大冲击电流：  2 A

最大反向漏泄电流：  0.1 uA

最高工作温度：  + 150 C

标准包装数量：  8000

正向电压下降：  1.2 V

正向连续电流：  0.1 A

配置：  Double Dual Common Anode

品牌：  ON Semiconductor

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  Reel

峰值反向电压：  80 V

工作温度：  - 55 C to + 150 C

二极管配置：  2 对共阳极

二极管类型：  标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：  80V

电流 - 平均整流（Io）（每二极管）：  100mA（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：  1.2V

电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If：  100mA

速度：  小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间（trr）：  4ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：  100nA

电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr：  70V

工作温度 - 结：  -55°C ~ 150°C

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：  SOT-563

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs