型号:  NSS12200LT1G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 12 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 7 V

集电极—射极饱和电压:  - 0.13 V

最大直流电集电极电流:  - 4 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  NSS12200L

高度:  0.94 mm

长度:  2.9 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  1.3 mm

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  - 2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  250

Pd-功率耗散:  540 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  8 mg