型号:  NSS40300DDR2G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 40V LOW VCE XTR PNP

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOIC-Narrow-8

晶体管极性:  PNP

配置:  Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 40 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 7 V

集电极—射极饱和电压:  0.135 V

最大直流电集电极电流:  - 6 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  NSS40300DD

直流电流增益 hFE 最大值:  250 at 10 mA, 2 V

高度:  1.5 mm

长度:  5 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  4 mm

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  - 3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  250

Pd-功率耗散:  783 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

单位重量:  143 mg