型号: NST3906DXV6T5
功能描述: Dual General Purpose Transistor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60 at 0.1 mA at 1 V
配置: Dual
最大工作频率: 250 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
封装: Reel
集电极连续电流: - 0.2 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 357 mW
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