型号:  NST65010MW6T1G

功能描述:   双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched PNP Tra

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

配置:  Dual

晶体管极性:  PNP, PNP

集电极—基极电压 VCBO:  - 80 V, - 80 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 65 V, - 65 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V, - 5 V

集电极—射极饱和电压:  - 300 mV, - 300 mV

最大直流电集电极电流:  - 100 mA, - 100 mA

增益带宽产品fT:  100 MHz, 100 MHz

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

商标:  ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:  0.9 at - 2 mA at - 5 V, 0.9 at - 2 mA at - 5 V

直流电流增益 hFE 最大值:  1.1 at - 2 mA at - 5 V, 1.1 at - 2 mA at - 5 V

最小工作温度:  - 55 C

封装:  Reel

Pd-功率耗散:  380 mW