型号:  NST856BF3T5G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP TRANSISTOR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-1123-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  65 V

集电极—基极电压 VCBO:  80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

最大直流电集电极电流:  0.1 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  NST856BF3T5G

直流电流增益 hFE 最大值:  220 at 2 mA, 5 V

高度:  0.37 mm

长度:  0.6 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  0.8 mm

商标:  ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:  220 at 2 mA, 5 V

Pd-功率耗散:  347 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  8000

子类别:  Transistors