型号: NSTB60BDW1T1G
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR NPN
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 是
配置: Dual
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 22 kOhms
典型电阻器比率: 2.13
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: - 150 mA
峰值直流集电极电流: 150 mA
Pd-功率耗散: 256 mW
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: NSTB60
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
直流电流增益 hFE 最大值: 80
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 7.500 mg
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