型号: NSV20101JT1G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-89-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 350 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: NSS20101J
高度: 0.7 mm
长度: 1.6 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 0.85 mm
商标: ON Semiconductor
Pd-功率耗散: 300 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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