型号: NSV40301MDR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： 2 NPN（双）
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 115mV @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 180 @ 2A，2V
功率-最大值： 653mW
频率-跃迁： 100MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC
封装形式Package： SOIC
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 3A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 40V
功率 - 最大值： 653mW
频率 - 跃迁： 100MHz
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 3A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 115mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 180 @ 2A，2V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：Elaine
电话：18825244885
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13622328433
Q Q:
