型号:  NSV60600MZ4T3G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 60 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 6 V

集电极—射极饱和电压:  - 50 mV

最大直流电集电极电流:  - 12 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  NSS60600

直流电流增益 hFE 最大值:  360

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  - 6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  120

Pd-功率耗散:  710 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  4000

子类别:  Transistors

单位重量:  110 mg