型号: NSVBA114EDXV6T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）： 10 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 35 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： SOT-563-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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