型号: NSVBC114YPDXV6T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）： 47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： SOT-563
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：15986776775
Q Q:
联系人：魏先生
电话：185767245558
Q Q:
联系人：赵苗
电话：15907164503
Q Q:
