型号: NSVBC857BLT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 45V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 220 @ 2mA，5V
功率 - 最大值： 225mW
频率 - 跃迁： 100MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林启旭
电话：15815591278
Q Q:
联系人：卢丹
电话：17727596190
Q Q:
联系人：郑涛
电话：13423789177
Q Q:
