型号: NSVEMT1DXV6T5G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: 2 PNP(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500pA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 120 @ 1mA,6V
功率 - 最大值: 500mW
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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