型号: NSVMMBTH10LT1G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V
频率 - 跃迁： 650MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -
增益： -
功率 - 最大值： 225mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23
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