型号: NSVMUN5215DW1T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流-集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压-集射极击穿(最大值): 50V
电阻器-基底(R1)(欧姆): 10k
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 160 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 250mV @ 1mA,10mA
电流-集电极截止(最大值): 500nA
功率-最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-88/SC70-6/SOT-363
无铅情况/RoHs: 否
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