型号: NSVT65010MW6T1G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched PNP Tra
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: PNP
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 65 V
集电极—基极电压 VCBO: - 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 300 mV
最大直流电集电极电流: - 100 mA
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
Pd-功率耗散: 380 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 7.500 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
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联系人：杨先生
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