型号: NTB150N65S3HF
功能描述: MOSFET N-CH 650V 24A
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: FRFET®,SuperFET® III
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 150 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 540µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 43nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1985pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 192W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK-3(TO-263-3)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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