型号: NTB18N06T4
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 450pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 48.4W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 90 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13590203753
Q Q:
联系人：储景旭
电话：13916128954
Q Q:
联系人：小郭
电话：13686402586
Q Q:
