型号:  NTB45N06T4G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  45A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  46nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1725pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  2.4W（Ta），125W（Tj）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  26 毫欧 @ 22.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  45A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  46nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1725pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  26 毫欧 @ 22.5A，10V

FET 类型：  N 沟道

漏源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  45A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs