型号:  NTB5605PT4G

功能描述:  MOSFET -60V -18.5A P-Channel

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  18.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  13 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  88 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.83 mm

长度:  10.29 mm

系列:  NTB5605P

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  9.65 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  12 S

下降时间:  75 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  122 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  29 ns

典型接通延迟时间:  12.5 ns

单位重量:  4 g