型号: NTB6413ANT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 42A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 51nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1800pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 136W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 28 毫欧 @ 42A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装形式Package: D2PAK
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 100V
连续漏极电流ID: 42A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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