型号: NTB75N03-6T4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 75nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5635pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.5 毫欧 @ 37.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13392858908
Q Q:
联系人：黄海洋
电话：13725501517
Q Q:
联系人：吴雅文
电话：18588438045
Q Q:
