型号: NTBV75N06T4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 130nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4510pF @ 25V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：伍泽敏
电话：13927422306
Q Q:
联系人：方小姐
电话：13418730030
Q Q:
联系人：马先生
电话：13410864434
Q Q:
