型号: NTD12N10
功能描述: Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.165 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK
封装: Tube
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 7 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 56.6 W
工厂包装数量: 75
典型关闭延迟时间: 22 ns
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