型号: NTD15N06LT4
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 15A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 5V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 440pF @ 25V
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),48W(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 100 毫欧 @ 7.5A,5V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:董先生
电话:19924492152
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:杨小姐
电话:13728754606
联系人:刘彦成
电话:13720726368
联系人:龙小平,朱先生
电话:19868271275