型号: NTD20N06L
功能描述: 60V,20A,N沟道功率MOSFET
制造商: ON Semiconductor (安森美)
封装: 1000 TO-252
功耗: 60.0 W
输入电容: 1.01 nF
额定电压(DC): 60.0 V
漏源极电阻: 39.0 mΩ
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 60V
最小包装: 2500
阈值电压: 2V
额定电流: 20.0 A
栅源击穿电压: -15.0 V to 15.0 V
漏源击穿电压: 60.0 V
连续漏极电流(Ids): 20.0 A
栅电荷: 30.0 nC
安装方式: Surface Mount
包装方式: Tube
含铅标准: Contains Lead
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Not Listed by Manufacturer
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