型号: NTD3055L104-1G
功能描述: MOSFET 60V 12A N-Channel
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 7.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 6.35 mm
长度: 6.73 mm
系列: NTD3055L104
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 2.38 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 9.1 S
下降时间: 40.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 104 ns
工厂包装数量: 75
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
单位重量: 4 g
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