型号:  NTD3055L104-1G

功能描述:  MOSFET 60V 12A N-Channel

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  104 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  7.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  48 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  6.35 mm

长度:  6.73 mm

系列:  NTD3055L104

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  2.38 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  9.1 S

下降时间:  40.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  104 ns

工厂包装数量:  75

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns

典型接通延迟时间:  9.2 ns

单位重量:  4 g