型号: NTD30N02G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 30A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 4.5V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1000pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 20V
功率耗散(最大值): 75W(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 14.5 毫欧 @ 30A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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