型号: NTD4809NH-35G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.6A（Ta），58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，11.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2155pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 12V
功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta），52W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 9 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I-PAK
封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：詹嘉源
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13693391815
Q Q:
联系人：胡
电话：13725538488
Q Q:
