型号: NTD4909NT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 8.8A(Ta),41A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1314pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 1.37W(Ta),29.4W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 8 毫欧 @ 30A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装形式Package: DPAK
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 12.1A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1314pF @ 15V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8 毫欧 @ 30A,10V
FET 类型: N 沟道
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8.8A(Ta),41A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:董先生
电话:19924492152
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:章琴
电话:13545908391
联系人:刘小姐
电话:15724096779
联系人:翟先生
Q Q: