型号: NTD4969NT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 9.4A(Ta),41A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 837pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 1.38W(Ta),26.3W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 9 毫欧 @ 30A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装形式Package: DPAK
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 12.7A
RoHS: 符合 RoHS
26.3 W: Pd - 功率消耗
安装风格: SMD/SMT
封装/外壳: DPAK-4
系列: NTD4969N
品牌: ON Semiconductor
互导 - 最小值: 36 S
最低工作温度: - 55 C
标准包装数量: 2500
晶体管极性: N-Channel
Vds - 漏-源击穿电压: 30 V
Id - C连续漏极电流: 12.7 A
Rds On - 漏-源电阻: 19 m0hms
配置: Single
Vgs th - 门源门限电压: 1.8 V
9 nC: Qg - 闸极充电
最高工作温度: + 175 C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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