型号:  NTD4969NT4G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  9.4A（Ta），41A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  837pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  1.38W（Ta），26.3W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  9 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  12.7A

RoHS：  符合 RoHS

26.3 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  DPAK-4

系列：  NTD4969N

品牌：  ON Semiconductor

互导 - 最小值：  36 S

最低工作温度：  - 55 C

标准包装数量：  2500

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  30 V

Id - C连续漏极电流：  12.7 A

Rds On - 漏-源电阻：  19 m0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  1.8 V

9 nC：  Qg - 闸极充电

最高工作温度：  + 175 C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs