型号: NTD5867NLT4G/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
制造商: on semiconductor
包装: 3DPAK
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 60 V
最大连续漏极电流: 20 A
RDS -于: 39@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 6.5 ns
典型上升时间: 12.6 ns
典型关闭延迟时间: 18.2 ns
典型下降时间: 2.4 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Cut Tape
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