型号: NTD6600NT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 12A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 700pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.28W（Ta），56.6W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 146 毫欧 @ 6A，5V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 12A
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
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电话：18129819897
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