型号:  NTDV20P06LT4G

功能描述:  MOSFET PFET 60V 15.5A 130R

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  15.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  15 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  65 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

系列:  NTD20P06L

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  11 S

下降时间:  70 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  90 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  NTDV20P06LT4G-VF01

单位重量:  340 mg