型号: NTE221
功能描述: Mosfet n-Channel Dual Gate 20v Idss=18ma To-72 Case Vhf Amp/Mixer Applications
制造商: NTE Electronics
引脚数: 3
功耗: 1000 400 mW
极性: Dual N-Channel
漏源极电压(Vds): 20.0 V
漏源击穿电压: 20.0 V
连续漏极电流(Ids): 18.0 mA
安装方式: Through Hole
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Obsolete
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