型号: NTE2377
功能描述: NTE ELECTRONICS NTE2377 场效应管, MOSFET
制造商: NTE Electronics
封装: TO-3P
引脚数: 3
功耗: 150 W
上升时间: 80.0 ns
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 900 V
额定电流: 8.00 A
漏源击穿电压: 900 V
连续漏极电流(Ids): 8.00 A
安装方式: Through Hole
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Non-Compliant
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