型号: NTE2389
功能描述: NTE ELECTRONICS NTE2389 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 35A, TO-220
制造商: NTE Electronics
封装: TO-220
引脚数: 3
功耗: 125 W
漏源极电阻: 40.0 mΩ
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 60.0 V
漏源击穿电压: 60.0 V (min)
连续漏极电流(Ids): 35.0 A
安装方式: Through Hole
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Compliant
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