型号: NTE2399
功能描述: NTE ELECTRONICS NTE2399 场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 3.1A, TO-220
制造商: NTE Electronics
封装: TO-220
引脚数: 3
功耗: 125 W
上升时间: 25.0 ns
漏源极电阻: 500 mΩ (max)
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 1000V
漏源击穿电压: 1.00 kV (min)
连续漏极电流(Ids): 3.10 A
安装方式: Through Hole
RoHS标准: Compliant
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：刘R
Q Q:
联系人：陈诚
Q Q:
联系人：金
Q Q:
