型号: NTE2399
功能描述: NTE ELECTRONICS NTE2399 场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 3.1A, TO-220
制造商: NTE Electronics
封装: TO-220
引脚数: 3
功耗: 125 W
上升时间: 25.0 ns
漏源极电阻: 500 mΩ (max)
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 1000V
漏源击穿电压: 1.00 kV (min)
连续漏极电流(Ids): 3.10 A
安装方式: Through Hole
RoHS标准: Compliant
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