型号:  NTE4153NT1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  915mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  1.82nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  110pF @ 16V

Vgs（最大值）：  ±6V

功率耗散（最大值）：  300mW（Tj）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  230 毫欧 @ 600mA，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-89，SOT-490

封装形式Package：  SC-89

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  0.915A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  1.82nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  110pF @ 16V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  230 毫欧 @ 600mA，4.5V

FET 类型：  N 沟道

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  915mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  1.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 250µA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs