型号: NTE66
功能描述: NTE ELECTRONICS NTE66 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 14A, TO-220
制造商: NTE Electronics
封装: TO-220
引脚数: 3
功耗: 77.0 W
漏源极电阻: 160 mΩ
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 100 V
漏源击穿电压: 100 V
连续漏极电流(Ids): 14.0 A
安装方式: Through Hole
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Compliant
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