型号:  NTHD3102CT1G

功能描述:  MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  ChipFET-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  45 mOhms, 80 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  600 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.05 mm

长度:  3.05 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTHD3102C

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.65 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  7.7 S, 5.9 S

下降时间:  15.9 ns, 16.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15.9 ns, 16.9 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16.4 ns, 15.7 ns

典型接通延迟时间:  7.2 ns, 6.4 ns

单位重量:  85 mg