型号: NTHD4508NT1
功能描述: MOSFET 20V 4.1A Dual
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: ON Semiconductor
Id-连续漏极电流: 4.1 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.13 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ChipFET-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 6 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
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