型号: NTJD2152PT1G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 775mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 300 毫欧 @ 570mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 225pF @ 8V
功率 - 最大值： 270mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363
其它名称： NTJD2152PT1GOSNTJD2152PT1GOS-NDNTJD2152PT1GOSTR
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：胡畔
电话：18588435432
Q Q:
联系人：赵志刚
电话：13763212717
Q Q:
联系人：陈佳丽
电话：13076307850
Q Q:
